O 3D tranzistorech Intelu se zde již psalo několikrát (viz např. První 3D tranzistory míří do výroby): „Tradiční ploché tranzistory byly nahrazeny tenkou trojrozměrnou křemíkovou vrstvou, jež vertikálně vystupuje z křemíkového substrátu. Kontrola proudu je zajištěna bránou na každé ze tří stran zmíněné vrstvy – dvě brány po stranách a jedna nahoře namísto pouhé jedné nahoře, jako je tomu u dvojrozměrných tranzistorů. Dodatečný tranzistor umožňuje maximální tok proudu při požadovaném vysokém výkonu a naopak téměř nulový tok v případě, že výkon očekáván není.“
Podívejte se nyní na video Intelu, kde se principy vysvětlují podrobněji. Výklad Bark Bohr z Intelu. Tvrdí, že právě u 22nm technologie se narazilo na limity a další zmenšování tranzistorů bez zásadnější změny technologie by už nemělo patřičný účinek.
Doplněno o české titulky.
Video na Youtube.
