Novinka z Rice University nyní umožňuje vyrábět teto typ pamětí za běžné teploty a standardními postupy, což by mohlo přiblížit začátek masové produkce.
Základem paměti RRAM je dielektrikum mezi dvěma vodiči. Při dostatečně vysokém napětí se však dileketrikum probije a mezi vodiči se vytvoří úzké spojení; přítomnost/nepřítomnost tohoto spojení pak odpovídá binárnímu zápisu dat. Úzká spojení lze opakovaně přepisovat, takže RRAM je použitelná jako přepisovatelná paměť s přímým přístupem. Oproti pamětím flash nabízejí RRAM větší rychlost čtení/zápisu i vyšší hustotu uložených informací (terabajt v objemu poštovní známky, asi 50krát víc než současné paměti flash), takže by nová technologie mohla paměti flash během několika let zcela nahradit.
Jako dielektrikum výzkumníci z Rice University testují oxid křemičitý. Možnost vytvářet v něm nekonečná vodivá spojení byla objevena až v roce 2010, do té doby se tato látka nepovažovala pro výrobu pamětí RRAM za použitelnou. K výhodám oxidu křemičitého patří podle vědců především jeho běžné nasazení v elektronice, výroba při pokojové teplotě, nízké napětí pro přepsání informace (tedy i nízká spotřeba energie) stejně jako vysoká rychlost čtení. Další zlepšení pak lze docílit při použití porézní formy SiO2. V tomto případě se zvýší počet cyklů (přepsání) až na statisíce a kapacita dosáhne až 9 bitů na buňku, což je u pamětí na bázi oxidů unikátní vlastnost. Kapacita paměti navíc prakticky neklesá s teplotou (alespoň v rozsahu předpokládaných provozních teplot).
Tým, který vedli James Tour a Gunuk Wang, popsal výsledky svého výzkumu v časopisu Nano Letters. Technologie je připravena pro licencování komerčním subjektům.
Zdroj: Phys.org
