Řešení, které výrazně zvyšuje výkon tranzistorů, což výrobcům umožní v příští dekádě nabízet menší a propracovanější čipy, představila společnost IBM. Jde o novou aplikaci germania.
Hlavní inovací tranzistorové technologie je metoda, jakou je využíváno germanium. Vrstva taženého germania je totiž aplikována přímo do kanálků tranzistoru anebo na plochu, kudy teče elektrický proud, a elektrony tak mají pro svůj pohyb více prostoru.
Tranzistory, které jsou vyrobeny pomocí tažené varianty, mohou podle vědců IBM oproti tradičnímu řešení nabídnut až trojnásobně vyšší výkon. Germanium je lepším vodičem než křemík, avšak dosud bylo problémem dosažení větší koncentrace germaniových atomů v čipu při využití tradičních metod. IBM tento problém vyřešilo, a dokonce objevilo metodu, jak germaniovou vrstvu roztáhnout tak, aby bylo dosaženo ještě lepších výsledků vodivosti.
Germanium bylo již dříve v omezené míře využito i jinými společnostmi, a to při aplikaci technologie známé jako tažený křemík (strained silicon). Ta předpokládá umístění směsi křemíku a germania vedle vrstvy čistého křemíku, což způsobí to, že se atomy čistého křemíku více roztáhnou. Tím se uvolní cesta pro elektrony, kterých může uvolněným kanálkem projít více.
Nová technika je v současné době ještě ve fázi vývoje a podle představitelů IBM by měla být využita v 32nanometrovém výrobním procesu, jehož nasazení je odhadováno na rok 2013. Současné křemíkové výrobní postupy sice zmenšily a zrychlily čipy, avšak za cenu hromadících se problémů, zejména s teplem. Například Intel hodlá do konce desetiletí představit tranzistory se třemi hradly, jež by měly mimo jiné řešit problémy spojené s nedokonalým tokem elektrického proudu.
