Student World

Typ fázové paměti, která by v sobě spojila rychlost pamětí typu SRAM s kapacitou typu DRAM a stabilitou pamětí flash, vyvíjejí výzkumníci společnosti Royal Philips Electronics.
Fázové materiály jsou využívány například při výrobě přepisovatelných médií DVD, u nichž princip záznamu spočívá v zahřátí citlivé vrstvy laserovým paprskem. Výzkumníci Philipsu nanesli na čip vrstvu tenkého filmu fázového materiálu a obklopili ji oxidem křemičitým. Zápis do materiálu zde neprovádí laser, ale náboj elektrického proudu. Ten zahřeje příslušné místo, což ve výsledku změní odpor vrstvy s filmem, dle kterého se rozlišují bity 0 a 1.
Předchozí generace materiálů vyžadovaly příliš vysoké napětí pro zaznamenání změny, a proto nemohly být prakticky využity v produktech CMOS. Změnu přinesl až nový materiál založený na antimonu a teluru, známý pod chemickou značkou SbTe.
Paměťové články Philipsu potřebují při své výrobě dva zvláštní litografické procesy, ale i přesto by, alespoň dle stávajících informací firmy, výroba měla být rychlejší. Představitelé společnosti očekávají, že nový typ pamětí dosáhne v parametrech rychlosti, hustoty, nízkého napětí a nízké spotřeby úrovní požadovaných od budoucích nanokřemíkových čipů.
Rychlost zápisu fázových pamětí je přibližně 100–200krát rychlejší než u typu flash a blíží se rychlostem pamětí SRAM. Paměťovou hustotu mají vyvíjené moduly na úrovni čipů DRAM.
Vývojem nanopaměťových čipů se zabývají i další firmy, jako například Ovonyx, Nantero či IBM. Právě IBM demonstrovalo na letošním CeBITu prototyp pamětí Millipede, které nabízejí hustotu 153 GB na čtvereční palec. Jejich výroba bude zahájena od roku 2008.

autor lks