Tisková zpráva: Toshiba představila pokročilou technologii výroby CMOS
Fyzika |
Tradiční NiSi vrstva představuje termálně velice nestabilní místo; vystavení této vrstvy teplu má pak za následek ztráty ve vedení proudu. Společnosti Toshiba se podařilo vyvinout metodu, jak této teplotní nestabilitě předcházet. Před vytvořením NiSi vrstvy jsou do jejího povrchu implantovány fluorové ionty.
Sdílet
Společnost Toshiba, jejíž notebooky u nás distribuuje Tech Data Distribution, v Tokiu oznámila nový způsob potlačení teplotní nestability a ztrátového proudu v tranzistorech MOS, které se používají při výrobě čipů 45-nm technologií. Nová technologie přispěje k dalšímu nasazení technologie CMOS v budoucích generacích LSI.
Tradiční NiSi vrstva představuje termálně velice nestabilní místo; vystavení této vrstvy teplu má pak za následek ztráty ve vedení proudu. Společnosti Toshiba se podařilo vyvinout metodu, jak této teplotní nestabilitě předcházet. Před vytvořením NiSi vrstvy jsou do jejího povrchu implantovány fluorové ionty. Díky tomuto řešení je možné zamezit problémům při výrobě LSI a posunout výrobu CMOS pomocí NiSi vrstvy o krok dále.
Tato nová metoda navíc nevyžaduje žádné dodatečné výdaje, neboť implantaci fluorových iontů lze provádět s využitím stávajícího výrobního zařízení a bez jakýchkoliv vedlejších účinků (například strmého nárůstu odporu) na zbytek výrobního procesu.
Jelikož je nízká spotřeba energie při podávání vyšších výkonů nezbytnou podmínkou pokročilých tranzistorů MOS, zejména při výrobě 45-nm technologií, plánuje společnost Toshiba nasadit tuto novou metodu také při výrobním procesu LSI s využitím 45-nm technologie.
poznámka pavel houser: fluorové ionty etc. ponecháváme v původním znění tiskové zprávy.
Komentáře
Napsat vlastní komentář
Pro přidání příspěvku do diskuze se prosím přihlašte v pravém horním rohu, nebo se prosím nejprve registrujte.